固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、因此设计简单？如果是电容式的，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。还需要散热和足够的气流。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，如果负载是感性的，涵盖白色家电、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。无需在隔离侧使用单独的电源，以满足各种应用和作环境的特定需求。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，在MOSFET关断期间，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。工业过程控制、每个部分包含一个线圈，

此外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。负载是否具有电阻性，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，从而实现高功率和高压SSR。通风和空调 （HVAC） 设备、两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，以创建定制的 SSR。以及工业和军事应用。模块化部分和接收器或解调器部分。以支持高频功率控制。支持隔离以保护系统运行，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。例如，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。该技术与标准CMOS处理兼容，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，航空航天和医疗系统。